韩国出口创历年7月新高,半导体与对华贸易双高位
+52.3%
+180.6%
+94.1%
1022.5亿美元
韩国海关7月21日公布的初步数据显示,经工作日调整后,7月前20天出口同比大涨62.9%,未经调整口径增长52.3%,进口增长20%,实现122亿美元贸易顺差,创下历年7月同期出口最高纪录。分品类看,半导体出口同比飙升180.6%,计算机相关产品出口增幅接近232%,燃料出口上涨33.4%,汽车出口则下滑10.6%。分目的地看,对中国出口同比增长94.1%,对美国出口增长约40%,对越南、欧盟出口同样保持强劲。
这一表现是6月势能的延续。6月韩国单月出口额首次突破1000亿美元大关,达到1022.5亿美元,同比增长70.9%,刷新韩国历史最高月度出口纪录,也是自1978年10月以来最快同比增速。其中半导体出口额首次突破400亿美元,达到448亿美元,同比增长199.5%。6月韩国对中国出口同比增长92.1%至200.3亿美元,中韩双边贸易额达364亿美元,创历史新高。
| 指标 | 数据 | 同比增速 |
|---|---|---|
| 7月前20天出口(未调整) | — | +52.3% |
| 7月前20天半导体出口 | — | +180.6% |
| 7月前20天对中国出口 | — | +94.1% |
| 6月单月出口总额 | 1022.5亿美元 | +70.9% |
| 6月半导体出口 | 448亿美元 | +199.5% |
| 6月对中国出口 | 200.3亿美元 | +92.1% |
| 上半年半导体出口 | 1924.3亿美元 | +162.5% |
| 6月汽车出口 | — | -10.6% |
从上半年累计看,韩国出口总额4967亿美元,同比增长48.4%;半导体出口1924.3亿美元,同比增长162.5%,其中对美出口从138亿美元增至264亿美元,增长91.3%。韩国政府已将2026年经济增长预期从2%上调至3%,韩国央行时隔三年多首次加息25个基点至2.75%。
“量微增、价暴增”:涨价才是出口飙升的主引擎
拆解韩国对华半导体出口的高速增长,价格上涨而非出货放量是核心驱动。2026年上半年,基准DDR4 8GB存储价格累计上涨80%,NAND闪存价格涨约2倍,通用DRAM合约价一季度最高涨幅达90%,上半年累计涨幅58%—63%,创下近15年单季最高涨幅纪录。
供给端的产能倾斜是价格暴涨的根源。三星、SK海力士、美光三家合计将超过30%的存储晶圆产能转向HBM高带宽内存芯片,而一颗HBM芯片消耗的晶圆面积是同容量普通DRAM的2—3倍,等效挤压了接近60%的通用存储有效供给。2026年全球传统普通DRAM、消费级NAND实际有效供给同比分别缩减30%—35%和25%—30%。在韩国对华存储出口增长中,价格上涨贡献约70%—80%,出货量增加仅占20%—30%。
AI链共振下的中国出口与材料贸易窗口
韩国对华半导体高增指向中国集成电路出口有望维持高位,机构预计6月中国集成电路出口同比约120%,AI算力需求仍是出口确定性增量。
海关总署数据显示,上半年中国电子元件、电脑零部件等算力硬件进出口5.13万亿元,增长56.6%,拉动出口增长6.9个百分点。
韩国半导体材料企业所用无水氢氟酸约90%来自中国进口,存储扩产带动电子级氢氟酸、蚀刻气体等中间品出口,部分供货商涨价二至三成。
日本光刻胶收紧倒逼国产替代,KrF、ArF光刻胶阶段性突破,预计2028—2029年国产化率提升至40%—50%,材料赛道政策扶持加码。
从中韩贸易结构看,6月韩国自中国进口同比增长42.8%,电子级氢氟酸、集成电路中间品、半导体设备零部件等品类需求旺盛。华泰证券指出,韩国推出大规模半导体投资计划后,半导体设备等相关进口有望维持高增,这为中国半导体装备、材料及中间品出口提供了持续的订单支撑。
高景气背后的周期与供应断点风险
1涨价周期反转风险:韩国对华半导体出口增长七成以上来自价格上涨,一旦HBM产能释放、通用存储供给恢复,DRAM/NAND合约价回落将直接压缩出口额与利润空间。
2日本材料管制风险:6月下旬日本四大光刻胶巨头对华收紧供货,ArF/EUV新订单基本冻结、KrF配额压缩、驻场工程师撤离,高端光刻胶进口依赖度超90%,3—6个月库存缓冲期后国产替代需跟上。
3韩国供应链本土化风险:韩国拟每年投入1万亿韩元强化半导体材料、零件、设备供应链,长期可能削弱对中国中间品的进口依赖。
4美国管制外溢风险:美国对韩高端HBM对华出口维持封锁,通用存储虽获长期许可,但管制清单随时可能调整,中低端“放行”窗口存在不确定性。
5合同定价风险:存储价格波动剧烈,若出口合同未设置调价机制与汇率条款,涨价周期反转后利润将被快速侵蚀。